请教一下sf32lb52-nano_n4 deep模式下底功耗平均200μA的问题

我使用sf32lb52-nano_n4开发板,运行SDK里的peripheral_with_ota例子

基于这个例子我开启了PM模块,成功在启动后抓到了hcpu进入deep的打印

我想测试这种情况下芯片的功耗,断开开发板串口,使用PPK2输出3.3V并测量电流

平均底功耗为200μA左右,和文档中15μA的底功耗差距较大

这块开发板上我加了一颗W25N01,并在ptab.yaml中描述

我在另一块没有加Flash的sf32lb52-nano_n4开发板进行相同的测试,平均底功耗为180μA左右

请问一下可能有哪些原因导致功耗较高呢?PPK2的测量CSV文件已上传

ppk-20260731T084858.csv (144.8 KB)